性能特點如下：Technoorg 出的Gentle Mill系列產(chǎn)可用于*終拋光、很容易對先在標準高能離子減薄儀上或FIB上處理過的樣進行清潔及改善性能。推薦用戶選擇Gentle Mill型號來進行樣制備
無合成產(chǎn)物
幾乎無損壞
*佳質(zhì)量的XTEM（截面透射電鏡），HRTEM（高分辨透射電鏡）或STEM（掃描透射電鏡）樣制備。
這些配置的離子減薄儀也可適用于對磨凹（凹坑）處理過的或薄的（< 25 μm）、平面的、被機械拋光的樣進行快速減薄。
*主要特點：*主要特點點：Gentle Mill溫和型低能離子減薄儀（型號IV5/IV8）為*的制備高質(zhì)量TEM/FIB樣的離子減薄工作站
*的低能離子源：Gentle Mill離子束工作站所用的熱陰低能離子源，具有令人矚目的技術。其低能量的離子束確保使表面損壞及離子束誘導的無定形物減至*小限度。獨特的離子源結構允許高離子束電流密度。所有離子槍參數(shù)包括加速電壓及陰電流由數(shù)字反饋回路全自動控制，但它們在樣制備過程中也可手動進行改變。離子源參數(shù)的初始值既可自動也可手動設置，并可在電腦顯示屏中連續(xù)顯示。
無合成產(chǎn)物的樣制備：Gentle Mill在低能量離子轟擊時對樣無損壞的獨特能力，在應用科學及材料研究域中，給用戶提供了研究合成材料及自然材料中實納米結構的工具。
對TEM/FIB樣進行清潔及后處理的快速、可靠的方法
獨立用戶模式，帶有預編程設置的自動操作：第三代Gentle Mill 3（型號IV8）為全計算機控制，通過易使用的圖形界面操作。所有減薄參數(shù)包括離子源的設置、氣流量控制、其它減薄參數(shù)如樣移動及傾斜角度的設置、穿孔檢測等可以被貯存，或以任意步數(shù)進行預編程。這種全自動特點減少了人為干預，可制備高質(zhì)量的樣。自動終止功能為圖像分析模塊支持的減薄過程的光學終止（探測樣穿孔或監(jiān)視樣表面形貌）。Gentle Mill 3配有軟件擴展功能，可實現(xiàn)在線技術支持，通過網(wǎng)絡進行即時故障偵測及問題排除。
樣進樣系統(tǒng)：空裝載鎖定系統(tǒng)，可進行快速樣換；全機械、無膠合樣裝載機構；對XTEM樣特別設計的鈦框架及封裝技術
可應用于工業(yè)環(huán)境研究
專門設計，可直接用于Hitachi的FIB-STEM/TEM系統(tǒng)3D樣托：基于Hitachi的FIB/STEM 和Technoorg的Gentle Mill 離子束工作站，Hitachi 與Technoorg合作共同提供了個完整方案用于特定要求低損壞樣的制備。半自動和全自動的Gentle Mill型號具有低能量離子減薄及清潔能力，可用于FIB樣制備的*后步驟來去除無定形物或損壞的表面層。這些型號可允許直接插入Hitachi的3D FIB/STEM樣桿，因而樣制備時間可大大地減少。
分類： Gentle Mill（型號為IV5），為計算機控制的標準型號；Gentle Mill 3（型號為IV8），為全自動型號；Gentle Mill Hi ａnd Gentle Mill 3 Hi為與Hitachi FIB/STEM系統(tǒng)兼容的型號。
技術參數(shù)：離子能量：100 - 2000 eV，連續(xù)可調(diào)
離子電流密度：*大10 mA/cm2
離子束流：7 - 90 uA，連續(xù)可調(diào)
離子束直徑：750 - 1200 um (FWHM)
減薄速率：2000 eV離子能量及30度離子束入射角時，c-Si上的減薄速率為28 um/h
樣臺
減薄角度：0 - 45°，電子調(diào)節(jié)步長為0.1°
計算機控制樣平面旋轉
搖擺（0- 120°角度范圍，電子調(diào)節(jié)步長為10°）
出眾的厚度范圍：涵蓋TEM樣厚度（30 - 200 um）
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